थाइरिस्टर चिप
थाइरिस्टर चिप
RUNAU इलेक्ट्रॉनिक्स द्वारा निर्मित थाइरिस्टर चिप मूल रूप से GE प्रसंस्करण मानक और प्रौद्योगिकी द्वारा पेश की गई थी जो यूएसए एप्लिकेशन मानक के अनुरूप थी और दुनिया भर के ग्राहकों द्वारा योग्य थी।इसमें मजबूत थर्मल थकान प्रतिरोध विशेषताओं, लंबी सेवा जीवन, उच्च वोल्टेज, बड़े वर्तमान, मजबूत पर्यावरणीय अनुकूलन क्षमता आदि शामिल हैं। 2010 में, RUNAU इलेक्ट्रॉनिक्स ने थाइरिस्टर चिप का नया पैटर्न विकसित किया, जिसने GE और यूरोपीय प्रौद्योगिकी के पारंपरिक लाभ, प्रदर्शन और को संयोजित किया। दक्षता को काफी हद तक अनुकूलित किया गया।
पैरामीटर:
| व्यास mm | मोटाई mm | वोल्टेज V | गेट दीया. mm | कैथोड इनर डाया। mm | कैथोड आउट दीया। mm | टीजेएम ℃ |
| 25.4 | 1.5±0.1 | ≤2000 | 2.5 | 5.6 | 20.3 | 125 |
| 25.4 | 1.6-1.8 | 2200-3500 | 2.6 | 5.6 | 15.9 | 125 |
| 29.72 | 2±0.1 | ≤2000 | 3.3 | 7.7 | 24.5 | 125 |
| 32 | 2±0.1 | ≤2000 | 3.3 | 7.7 | 26.1 | 125 |
| 35 | 2±0.1 | ≤2000 | 3.8 | 7.6 | 29.1 | 125 |
| 35 | 2.1-2.4 | 2200-4200 | 3.8 | 7.6 | 24.9 | 125 |
| 38.1 | 2±0.1 | ≤2000 | 3.3 | 7.7 | 32.8 | 125 |
| 40 | 2±0.1 | ≤2000 | 3.3 | 7.7 | 33.9 | 125 |
| 40 | 2.1-2.4 | 2200-4200 | 3.5 | 8.1 | 30.7 | 125 |
| 45 | 2.3±0.1 | ≤2000 | 3.6 | 8.8 | 37.9 | 125 |
| 50.8 | 2.5±0.1 | ≤2000 | 3.6 | 8.8 | 43.3 | 125 |
| 50.8 | 2.6-2.9 | 2200-4200 | 3.8 | 8.6 | 41.5 | 125 |
| 50.8 | 2.6-2.8 | 2600-3500 | 3.3 | 7 | 41.5 | 125 |
| 55 | 2.5±0.1 | ≤2000 | 3.3 | 8.8 | 47.3 | 125 |
| 55 | 2.5-2.9 | ≤4200 | 3.8 | 8.6 | 45.7 | 125 |
| 60 | 2.6-3.0 | ≤4200 | 3.8 | 8.6 | 49.8 | 125 |
| 63.5 | 2.7-3.1 | ≤4200 | 3.8 | 8.6 | 53.4 | 125 |
| 70 | 3.0-3.4 | ≤4200 | 5.2 | 10.1 | 59.9 | 125 |
| 76 | 3.5-4.1 | ≤4800 | 5.2 | 10.1 | 65.1 | 125 |
| 89 | 4-4.4 | ≤4200 | 5.2 | 10.1 | 77.7 | 125 |
| 99 | 4.5-4.8 | ≤3500 | 5.2 | 10.1 | 87.7 | 125 |
तकनीकी विनिर्देश:
RUNAU इलेक्ट्रॉनिक्स चरण नियंत्रित थाइरिस्टर और फास्ट स्विच थाइरिस्टर के पावर सेमीकंडक्टर चिप्स प्रदान करता है।
1. कम ऑन-स्टेट वोल्टेज ड्रॉप
2. एल्युमीनियम परत की मोटाई 10 माइक्रोन से अधिक होती है
3. डबल लेयर प्रोटेक्शन मेसा
सुझावों:
1. बेहतर प्रदर्शन बनाए रखने के लिए, मोलिब्डेनम के टुकड़ों के ऑक्सीकरण और आर्द्रता के कारण होने वाले वोल्टेज परिवर्तन को रोकने के लिए चिप को नाइट्रोजन या वैक्यूम स्थिति में संग्रहित किया जाएगा।
2. चिप की सतह को हमेशा साफ रखें, कृपया दस्ताने पहनें और चिप को नंगे हाथों से न छुएं
3. उपयोग की प्रक्रिया में सावधानी से काम करें.गेट और कैथोड के पोल क्षेत्र में चिप की राल किनारे की सतह और एल्यूमीनियम परत को नुकसान न पहुंचाएं
4. परीक्षण या इनकैप्सुलेशन में, कृपया ध्यान दें कि स्थिरता, समतलता और क्लैंप बल निर्दिष्ट मानकों के साथ मेल खाना चाहिए।खराब समानता के परिणामस्वरूप असमान दबाव और बल द्वारा चिप क्षति होगी।यदि अतिरिक्त क्लैंप बल लगाया जाता है, तो चिप आसानी से क्षतिग्रस्त हो जाएगी।यदि लगाया गया क्लैंप बल बहुत छोटा है, तो खराब संपर्क और गर्मी अपव्यय अनुप्रयोग को प्रभावित करेगा।
5. चिप की कैथोड सतह के संपर्क में आने वाले दबाव ब्लॉक को एनील्ड किया जाना चाहिए
क्लैंप फोर्स की अनुशंसा करें
| चिप्स का आकार | क्लैंप बल अनुशंसा |
| (केएन) ±10% | |
| Φ25.4 | 4 |
| Φ30 या Φ30.48 | 10 |
| Φ35 | 13 |
| Φ38 या Φ40 | 15 |
| Φ50.8 | 24 |
| Φ55 | 26 |
| Φ60 | 28 |
| Φ63.5 | 30 |
| Φ70 | 32 |
| Φ76 | 35 |
| Φ85 | 45 |
| Φ99 | 65 |