प्रेस-पैक आईजीबीटी
प्रेस-पैक आईजीबीटी (आईईजीटी)
| प्रकार | VDRM से V | Vआरआरएम V | Iटी(एवी)@80℃ A | आईटीजीक्यूएम@सीएस ए / μF | ITSM@10ms kA | VTM V | VTO V | rT एमΩ | Tवीजेएम ℃ | Rthjc ℃/डब्ल्यू | |
| CSG07E1400 | 1400 | 100 | 250 | 700 | 2 | 4 | ≤2.2 | ≤1.20 | ≤0.50 | 125 | 0.075 |
| CSG07E1700 | 1700 | 16 | 240 | 700 | 1.5 | 4 | ≤2.5 | ≤1.20 | ≤0.50 | 125 | 0.075 |
| सीएसजी15एफ2500 | 2500 | 17 | 570 | 1500 | 3 | 10 | ≤2.8 | ≤1.50 | ≤0.90 | 125 | 0.027 |
| सीएसजी20एच2500 | 2500 | 17 | 830 | 2000 | 6 | 16 | ≤2.8 | ≤1.66 | ≤0.57 | 125 | 0.017 |
| सीएसजी25एच2500 | 2500 | 16 | 867 | 2500 | 6 | 18 | ≤3.1 | ≤1.66 | ≤0.57 | 125 | 0.017 |
| CSG30J2500 | 2500 | 17 | 1350 | 3000 | 5 | 30 | ≤2.5 | ≤1.50 | ≤0.33 | 125 | 0.012 |
| सीएसजी10एफ2500 | 2500 | 15 | 830 | 1000 | 2 | 12 | ≤2.5 | ≤1.66 | ≤0.57 | 125 | 0.017 |
| सीएसजी06डी4500 | 4500 | 17 | 210 | 600 | 1 | 3.1 | ≤4.0 | ≤1.90 | ≤0.50 | 125 | 0.05 |
| सीएसजी10एफ4500 | 4500 | 16 | 320 | 1000 | 1 | 7 | ≤3.5 | 1.9 | ≤0.35 | 125 | 0.03 |
| सीएसजी20एच4500 | 4500 | 16 | 745 | 2000 | 2 | 16 | ≤3.2 | ≤1.8 | ≤0.85 | 125 | 0.017 |
| CSG30J4500 | 4500 | 16 | 870 | 3000 | 6 | 16 | ≤4.0 | ≤2.2 | ≤0.60 | 125 | 0.012 |
| सीएसजी40एल4500 | 4500 | 16 | 1180 | 4000 | 3 | 20 | ≤4.0 | ≤2.1 | ≤0.58 | 125 | 0.011 |
टिप्पणी:D- डी के साथआयोड भाग, ए-डायोड भाग के बिना
परंपरागत रूप से, सोल्डर संपर्क आईजीबीटी मॉड्यूल लचीले डीसी ट्रांसमिशन सिस्टम के स्विच गियर में लगाए गए थे।मॉड्यूल पैकेज सिंगल साइड हीट डिसिपेशन है।डिवाइस की पावर क्षमता सीमित है और श्रृंखला में कनेक्ट करना उचित नहीं है, नमक वाली हवा में खराब जीवनकाल, शॉक-विरोधी कंपन या थर्मल थकान कम है।
नए प्रकार का प्रेस-संपर्क हाई-पावर प्रेस-पैक आईजीबीटी डिवाइस न केवल सोल्डरिंग प्रक्रिया में रिक्ति, सोल्डरिंग सामग्री की थर्मल थकान और एकल-पक्षीय गर्मी अपव्यय की कम दक्षता की समस्याओं को पूरी तरह से हल करता है, बल्कि विभिन्न घटकों के बीच थर्मल प्रतिरोध को भी समाप्त करता है। आकार और वजन कम से कम करें।और आईजीबीटी डिवाइस की कार्यकुशलता और विश्वसनीयता में उल्लेखनीय सुधार होगा।यह लचीली डीसी ट्रांसमिशन प्रणाली की उच्च-शक्ति, उच्च-वोल्टेज, उच्च-विश्वसनीयता आवश्यकताओं को पूरा करने के लिए काफी उपयुक्त है।
प्रेस-पैक आईजीबीटी द्वारा सोल्डर संपर्क प्रकार का प्रतिस्थापन अनिवार्य है।
2010 से, रूनाउ इलेक्ट्रॉनिक्स को नए प्रकार के प्रेस-पैक आईजीबीटी डिवाइस विकसित करने और 2013 में उत्पादन में सफल होने के लिए विस्तृत किया गया था। प्रदर्शन को राष्ट्रीय योग्यता द्वारा प्रमाणित किया गया था और अत्याधुनिक उपलब्धि पूरी की गई थी।
अब हम 600A से 3000A में IC रेंज और 1700V से 6500V में VCES रेंज के सीरीज प्रेस-पैक IGBT का निर्माण और प्रदान कर सकते हैं।चीन में बने प्रेस-पैक आईजीबीटी को चीन के लचीले डीसी ट्रांसमिशन सिस्टम में लागू करने की शानदार संभावना है और यह हाई-स्पीड इलेक्ट्रिक ट्रेन के बाद चीन पावर इलेक्ट्रॉनिक्स उद्योग का एक और विश्व स्तरीय मील का पत्थर बन जाएगा।
विशिष्ट मोड का संक्षिप्त परिचय:
1. मोड: प्रेस-पैक IGBT CSG07E1700
●पैकेजिंग और दबाने के बाद विद्युत विशेषताएँ
● उलटासमानांतरजुड़े हुएतेजी से रिकवरी डायोडनिष्कर्ष निकाला
● पैरामीटर：
रेटेड मूल्य（25℃）
एक।कलेक्टर एमिटर वोल्टेज: VGES=1700（V）
बी।गेट एमिटर वोल्टेज: VCES=±20（V）
सी।संग्राहक धारा: IC=800(A)ICP=1600(A)
डी।कलेक्टर पावर अपव्यय: PC=4440（W）
इ।वर्किंग जंक्शन तापमान: Tj=－20~125℃
एफ।भंडारण तापमान: Tstg=－40~125℃
नोट: रेटेड मूल्य से अधिक होने पर डिवाइस क्षतिग्रस्त हो जाएगा
विद्युतीयCविशेषताएँ, TC＝125℃，Rth (का थर्मल प्रतिरोधजंक्शन सेमामला）शामिल नहीं
एक।गेट लीकेज करंट: IGES=±5（μA）
बी।कलेक्टर एमिटर ब्लॉकिंग करंट ICES=250（mA）
सी।कलेक्टर एमिटर संतृप्ति वोल्टेज: VCE(sat)=6(V)
डी।गेट एमिटर थ्रेशोल्ड वोल्टेज: VGE(th)=10(V)
इ।समय चालू करें: टन=2.5μs
एफ।बंद करने का समय: टोफ़=3μs
2. मोड: प्रेस-पैक IGBT CSG10F2500
●पैकेजिंग और दबाने के बाद विद्युत विशेषताएँ
● उलटासमानांतरजुड़े हुएतेजी से रिकवरी डायोडनिष्कर्ष निकाला
● पैरामीटर：
रेटेड मूल्य（25℃）
एक।कलेक्टर एमिटर वोल्टेज: VGES=2500（V）
बी।गेट एमिटर वोल्टेज: VCES=±20（V）
सी।संग्राहक धारा: IC=600(A)ICP=2000(A)
डी।कलेक्टर पावर अपव्यय: PC=4800（W）
इ।वर्किंग जंक्शन तापमान: Tj=－40~125℃
एफ।भंडारण तापमान: Tstg=－40~125℃
नोट: रेटेड मूल्य से अधिक होने पर डिवाइस क्षतिग्रस्त हो जाएगा
विद्युतीयCविशेषताएँ, TC＝125℃，Rth (का थर्मल प्रतिरोधजंक्शन सेमामला）शामिल नहीं
एक।गेट लीकेज करंट: IGES=±15（μA）
बी।कलेक्टर एमिटर ब्लॉकिंग करंट ICES=25（mA）
सी।कलेक्टर एमिटर संतृप्ति वोल्टेज: वीसीई(सैट)=3.2 (वी)
डी।गेट एमिटर थ्रेशोल्ड वोल्टेज: VGE(th)=6.3(V)
इ।समय चालू करें: टन=3.2μs
एफ।बंद करने का समय: टोफ़=9.8μs
जी।डायोड फॉरवर्ड वोल्टेज: VF=3.2 V
एच।डायोड रिवर्स रिकवरी समय: Trr=1.0 μs
3. मोड: प्रेस-पैक IGBT CSG10F4500
●पैकेजिंग और दबाने के बाद विद्युत विशेषताएँ
● उलटासमानांतरजुड़े हुएतेजी से रिकवरी डायोडनिष्कर्ष निकाला
● पैरामीटर：
रेटेड मूल्य（25℃）
एक।कलेक्टर एमिटर वोल्टेज: VGES=4500（V）
बी।गेट एमिटर वोल्टेज: VCES=±20（V）
सी।संग्राहक धारा: IC=600(A)ICP=2000(A)
डी।कलेक्टर पावर अपव्यय: PC=7700（W）
इ।वर्किंग जंक्शन तापमान: Tj=－40~125℃
एफ।भंडारण तापमान: Tstg=－40~125℃
नोट: रेटेड मूल्य से अधिक होने पर डिवाइस क्षतिग्रस्त हो जाएगा
विद्युतीयCविशेषताएँ, TC＝125℃，Rth (का थर्मल प्रतिरोधजंक्शन सेमामला）शामिल नहीं
एक।गेट लीकेज करंट: IGES=±15（μA）
बी।कलेक्टर एमिटर ब्लॉकिंग करंट ICES=50（mA）
सी।कलेक्टर एमिटर संतृप्ति वोल्टेज: वीसीई(सैट)=3.9 (वी)
डी।गेट एमिटर थ्रेशोल्ड वोल्टेज: VGE(th)=5.2 (V)
इ।समय चालू करें: टन=5.5μs
एफ।बंद करने का समय: टोफ़=5.5μs
जी।डायोड फॉरवर्ड वोल्टेज: VF=3.8 V
एच।डायोड रिवर्स रिकवरी समय: Trr=2.0 μs
टिप्पणी:प्रेस-पैक आईजीबीटी दीर्घकालिक उच्च यांत्रिक विश्वसनीयता, क्षति के प्रति उच्च प्रतिरोध और प्रेस कनेक्ट संरचना की विशेषताओं में फायदेमंद है, श्रृंखला डिवाइस में नियोजित करने के लिए सुविधाजनक है, और पारंपरिक जीटीओ थाइरिस्टर की तुलना में, आईजीबीटी वोल्टेज-ड्राइव विधि है .इसलिए, इसे संचालित करना आसान, सुरक्षित और विस्तृत परिचालन रेंज है।