चरण नियंत्रण थाइरिस्टर (मिश्र धातु प्रकार)

विवरण:

थाइरिस्टर, जिसे सिलिकॉन कंट्रोल रेक्टिफायर (एससीआर) के रूप में भी जाना जाता है, एक उच्च शक्ति अर्धचालक उपकरण है जिसमें तीन पीएन संरचनाएं होती हैं।प्रदर्शन के संदर्भ में, थाइरिस्टर में न केवल यूनिडायरेक्शनल चालकता होती है, बल्कि सिलिकॉन रेक्टिफायर तत्व की तुलना में अधिक मूल्यवान नियंत्रणीयता भी होती है, जो चालन और ऑफ-स्टेट की केवल दो अवस्थाएं होती है, छोटी शक्ति के साथ बड़ी शक्ति को नियंत्रित करने के लिए, सैकड़ों तक शक्ति प्रवर्धन या हजारों बार.प्रतिक्रिया बहुत तेज़ है, माइक्रो-सेकंड में चालू और बंद हो जाती है।गैर-संपर्क संचालन, कोई चिंगारी नहीं, कोई शोर नहीं, जबकि उच्च दक्षता और कम लागत।इसलिए, विशेष रूप से उच्च बिजली आपूर्ति प्रणाली में, रेक्टिफायर सर्किट, स्टेटिक बाईपास स्विच, संपर्क-मुक्त आउटपुट स्विच और अन्य सर्किट में थाइरिस्टर का व्यापक रूप से उपयोग किया गया है।

RUNAU इलेक्ट्रॉनिक्स के थाइरिस्टर विनिर्माण मानक और प्रसंस्करण प्रौद्योगिकी को 1980 के दशक से संयुक्त राज्य अमेरिका से पेश किया गया था, चीन में थाइरिस्टर विनिर्माण के अग्रणी के रूप में, RUNAU की तकनीकी टीम ने 30 से अधिक वर्षों के लिए अत्याधुनिक ज्ञान और पर्याप्त विनिर्माण अनुभव प्राप्त किया था।पारंपरिक विनिर्माण प्रक्रिया के आधार पर, RUNAU इलेक्ट्रॉनिक्स के प्रतिभा तकनीशियनों ने यूरोपीय उत्पादों की लाभकारी विशेषताओं के साथ थाइरिस्टर के निर्माण में अत्याधुनिक तकनीक विकसित की है, गुणवत्ता और प्रदर्शन में काफी सुधार हुआ है, पावर इलेक्ट्रॉनिक्स के अनुप्रयोग में और बड़ी जीत हासिल की गई है। फ़ील्ड, और साझेदारों के लिए अधिक मूल्य सृजित हुआ।

परिचय:

1. चिप

RUNAU इलेक्ट्रॉनिक्स द्वारा निर्मित थाइरिस्टर चिप में सिंटर मिश्र धातु तकनीक का उपयोग किया जाता है।सिलिकॉन और मोलिब्डेनम वेफर को उच्च वैक्यूम और उच्च तापमान वातावरण के तहत शुद्ध एल्यूमीनियम (99.999%) द्वारा मिश्रधातु के लिए सिंटर किया गया था।सिंटरिंग विशेषताओं का प्रशासन थाइरिस्टर की गुणवत्ता को प्रभावित करने वाला प्रमुख कारक है।मिश्र धातु जंक्शन की गहराई, सतह की समतलता, मिश्र धातु गुहा के साथ-साथ पूर्ण प्रसार कौशल, केंद्र द्वार, रिंग सर्कल पैटर्न को प्रबंधित करने के अलावा RUNAU इलेक्ट्रॉनिक्स की जानकारी को थाइरिस्टर के विश्वसनीय और उच्च कुशल संचालन संचालन को सक्षम करने के लिए लागू किया गया था। उच्च गुणवत्ता प्रदर्शन सुनिश्चित करें।

2. एनकैप्सुलेशन

मोलिब्डेनम वेफर और बाहरी पैकेज की समतलता और समानता के सख्त नियंत्रण से, चिप और मोलिब्डेनम वेफर को बाहरी पैकेज के साथ कसकर और पूरी तरह से एकीकृत किया जाएगा।इससे सर्ज करंट और हाई शॉर्ट सर्किट करंट के प्रतिरोध का अनुकूलन होगा।और इलेक्ट्रॉन वाष्पीकरण तकनीक की माप को सिलिकॉन वेफर सतह पर एक मोटी एल्यूमीनियम फिल्म बनाने के लिए नियोजित किया गया था, और मोलिब्डेनम सतह पर चढ़ाया गया रूथेनियम परत थर्मल थकान प्रतिरोध को काफी बढ़ा देगा, थाइरिस्टर का कार्य जीवन समय काफी बढ़ जाएगा।

तकनीकी विनिर्देश

1. RUNAU इलेक्ट्रॉनिक्स द्वारा निर्मित मिश्र धातु प्रकार चिप के साथ चरण नियंत्रित थाइरिस्टर, I की रेंज_{टीएवी}300ए से 6000ए और वी तक_{DRM से}/V_{आरआरएम}800V से 4400V तक.
2. I_GT, वी_GTऔर मैं_H25℃ पर परीक्षण मान हैं, जब तक अन्यथा न कहा जाए, अन्य सभी पैरामीटर टी के अंतर्गत परीक्षण मान हैं_jm;
3. I²टी = मैं²F SM×tw/2, tw= साइनसॉइडल अर्ध तरंग धारा आधार चौड़ाई।50हर्ट्ज पर, मैं²t=0.005I²एफएसएम(ए²एस);
4. 60Hz पर: I_{एफएसएम}(8.3ms)=I_{एफएसएम}(10ms)×1.066,टी_j=T_j;मैं²t(8.3ms)=I²t(10ms)×0.943,T_j=T_jm

पैरामीटर: