रूनाउ सेमीकंडक्टर द्वारा निर्मित स्क्वायर थाइरिस्टर चिप का परिचय (2022-1-20)

वर्गाकार थाइरिस्टर चिपएक प्रकार की थाइरिस्टर चिप है, और गेट, कैथोड, सिलिकॉन वेफर और एनोड सहित तीन पीएन जंक्शनों के साथ एक चार-परत अर्धचालक संरचना है।

परिचय
परिचय 2

कैथोड, सिलिकॉन वेफर और एनोड सभी सपाट और चौकोर आकार के हैं।सिलिकॉन वेफर का एक किनारा कैथोड से जुड़ा होता है, दूसरा पक्ष एनोड से जुड़ा होता है, कैथोड पर एक लीड छेद खोला जाता है, और छेद में गेट की व्यवस्था की जाती है।गेट, कैथोड और एनोड सतह सोल्डर सामग्री से पंक्तिबद्ध हैं।मुख्य उत्पादन प्रक्रियाओं में शामिल हैं: सिलिकॉन वेफर सफाई, प्रसार, ऑक्सीकरण, फोटोलिथोग्राफी, संक्षारण, निष्क्रियता संरक्षण, धातुकरण, परीक्षण और डाइसिंग।

परिचय 3
परिचय 4

रनौ सेमीकंडक्टर स्क्वायर थाइरिस्टर चिप डबल नकारात्मक कोण आकार है, एसआईपीओएस + ग्लास + एलटीओ द्वारा संरक्षित निष्क्रियता, वितरित एल्यूमीनियम प्रसार, मोटी एल्यूमीनियम परत, TiNiAg या Al + TiNiAg के साथ धातुकृत बहु-परत, जैसे कम ऑन-स्टेट के उच्च प्रदर्शन को सक्षम करता है वोल्टेज ड्रॉप, उच्च अवरोधक वोल्टेज, आसान बॉन्डिंग और पावर मॉड्यूल निर्माण में व्यापक अनुप्रयोग।

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परिचय 8

रनौ सेमीकंडक्टर स्क्वायर थाइरिस्टर चिप का लाभ चिप डाइसिंग के दौरान बहुत कम स्क्रैप है, जो सामग्री को बचा सकता है, लागत को कम कर सकता है और निर्माण प्रक्रिया में उच्च डिग्री मशीनीकरण कर सकता है।जियांग्सू यांगजी रूनाउ सेमीकंडक्टर कंपनी द्वारा उत्पादित थाइरिस्टर पावर मॉड्यूल और थाइरिस्टर रेक्टिफायर हाइब्रिड पावर मॉड्यूल सभी स्व-निर्मित थाइरिस्टर चिप्स द्वारा उत्पादित होते हैं।डिलीवरी से पहले सभी चिप्स का गेट पैरामीटर, ऑन-स्टेट पैरामीटर, ऑफ-स्टेट पैरामीटर और अनुकूलित पैरामीटर के साथ निरीक्षण किया जाएगा।पावर मॉड्यूल की विशेषताएं पूरी तरह से नियंत्रणीय हैं।प्रदर्शन IXYS, ST, INFINION के बराबर है।


पोस्ट समय: जनवरी-21-2022