22 जुलाई, 2019 में, रुनाउ ने नए उत्पाद की घोषणा की: 5” चिप के साथ 5200V थाइरिस्टर सफलतापूर्वक विकसित किया गया था और ग्राहक के ऑर्डर के लिए निर्माण के लिए तैयार था।अत्याधुनिक प्रौद्योगिकियों की एक श्रृंखला लागू की गई, अशुद्धता प्रसार प्रक्रिया का गहन अनुकूलन, लिथोग्राफी का सटीक डिजाइन, मेसा मॉडलिंग की सख्त सुरक्षा तकनीक, एकरूपता, दोहराव और नियंत्रणीयता अशुद्धता प्रसार प्रदर्शन को सक्षम करने के साथ-साथ उत्कृष्ट अवरोधन विशेषताओं को भी सक्षम किया गया।इस तरह करंट और वोल्टेज वृद्धि दर का उच्च प्रदर्शन सुनिश्चित किया जाता है।सिद्ध साक्ष्य के साथ, 5200V के विरुद्ध औसत फॉरवर्ड करंट बहुत कम ऑन-स्टेट वोल्टेज ड्रॉप के साथ 4750A तक पहुंच सकता है, VTM IT=5000A, TJ=25℃ के अलावा 1.5V है।एक निजी निर्माता के रूप में, हमने स्वतंत्र अनुसंधान और विकास के साथ गौरवपूर्ण प्रगति की है, 500KV 3000MW HVDC पावर ट्रांसमिशन परियोजना के इंजीनियरिंग और औद्योगीकरण समाधान को अधिक लचीला और वाणिज्यिक बनाया है।