फास्ट स्विच थाइरिस्टर

विवरण:

फास्ट स्विच थाइरिस्टर, चरण नियंत्रण थाइरिस्टर की समान संरचना और प्रतीक के साथ, जबकि सुधार, चॉपिंग, इन्वर्टर और आवृत्ति रूपांतरण सर्किट के उच्च आवृत्ति अनुप्रयोग के लिए बेहतर स्थैतिक विशेषताओं, विशेष रूप से गतिशील विशेषताओं की आवश्यकता होती है।तेज थाइरिस्टर के गतिशील पैरामीटर तेज टर्न-ऑन गति और टर्न-ऑन विस्तार गति, कम रिवर्स रिकवरी चार्ज और कम टर्न-ऑफ समय, ऑन-स्टेट करंट (डीआई/डीटी) की उच्च महत्वपूर्ण वृद्धि दर और महत्वपूर्ण दर हैं। ऑफ-स्टेट वोल्टेज (डीवी/डीटी) में वृद्धि।रेटेड आवृत्ति के भीतर तेज़ थाइरिस्टर का रेटेड करंट कम नहीं होता है या आवृत्ति बढ़ने पर थोड़ा कम हो जाता है।

RUNAU इलेक्ट्रॉनिक्स के फास्ट स्विच थाइरिस्टर विनिर्माण मानक और प्रसंस्करण प्रौद्योगिकी को 1980 के दशक से संयुक्त राज्य अमेरिका से पेश किया गया था, चीन में थाइरिस्टर विनिर्माण के अग्रणी के रूप में, RUNAU की तकनीकी टीम ने 30 से अधिक वर्षों के लिए अत्याधुनिक ज्ञान और पर्याप्त विनिर्माण अनुभव प्राप्त किया था।पारंपरिक विनिर्माण प्रक्रिया के आधार पर, RUNAU इलेक्ट्रॉनिक्स के प्रतिभा तकनीशियनों ने यूरोपीय उत्पादों की लाभकारी विशेषताओं के साथ थाइरिस्टर के निर्माण में अत्याधुनिक तकनीक विकसित की है, गुणवत्ता और प्रदर्शन में काफी सुधार हुआ है, पावर इलेक्ट्रॉनिक्स अनुप्रयोगों में और बड़ी जीत हासिल की गई है। और साझेदारों के लिए अधिक मूल्य सृजित हुआ।

परिचय:

1. चिप

RUNAU इलेक्ट्रॉनिक्स द्वारा निर्मित थाइरिस्टर चिप में सिंटर मिश्र धातु तकनीक का उपयोग किया जाता है।सिलिकॉन और मोलिब्डेनम वेफर को उच्च वैक्यूम और उच्च तापमान वातावरण के तहत शुद्ध एल्यूमीनियम (99.999%) द्वारा मिश्रधातु के लिए सिंटर किया गया था।सिंटरिंग विशेषताओं का प्रशासन थाइरिस्टर की गुणवत्ता को प्रभावित करने वाला प्रमुख कारक है।मिश्र धातु जंक्शन की गहराई, सतह की समतलता, मिश्र धातु गुहा के साथ-साथ पूर्ण प्रसार कौशल, रिंग सर्कल पैटर्न, विशेष गेट संरचना का प्रबंधन करने के अलावा RUNAU इलेक्ट्रॉनिक्स की जानकारी।इसके अलावा डिवाइस के वाहक जीवन को कम करने के लिए विशेष प्रसंस्करण को नियोजित किया गया था, ताकि आंतरिक वाहक पुनर्संयोजन गति में काफी तेजी आए, डिवाइस का रिवर्स रिकवरी चार्ज कम हो जाए, और परिणामस्वरूप स्विचिंग गति में सुधार हो।इस तरह के मापों को तेजी से स्विचिंग विशेषताओं, ऑन-स्टेट विशेषताओं और बढ़ती वर्तमान संपत्ति को अनुकूलित करने के लिए लागू किया गया था।थाइरिस्टर का प्रदर्शन और संचालन संचालन विश्वसनीय और कुशल है।

2. एनकैप्सुलेशन

मोलिब्डेनम वेफर और बाहरी पैकेज की समतलता और समानता के सख्त नियंत्रण से, चिप और मोलिब्डेनम वेफर को बाहरी पैकेज के साथ कसकर और पूरी तरह से एकीकृत किया जाएगा।इससे सर्ज करंट और हाई शॉर्ट सर्किट करंट के प्रतिरोध का अनुकूलन होगा।और सिलिकॉन वेफर सतह पर एक मोटी एल्यूमीनियम फिल्म बनाने के लिए इलेक्ट्रॉन वाष्पीकरण तकनीक का माप नियोजित किया गया था, और मोलिब्डेनम सतह पर चढ़ाया गया रूथेनियम परत थर्मल थकान प्रतिरोध को काफी बढ़ा देगा, फास्ट स्विच थाइरिस्टर का कार्य जीवन समय काफी बढ़ जाएगा।

तकनीकी विनिर्देश

1. RUNAU इलेक्ट्रॉनिक्स द्वारा निर्मित मिश्र धातु प्रकार चिप के साथ फास्ट स्विच थाइरिस्टर, I की रेंज_{टीएवी}200A से 4000A और V_{DRM से}/V_{आरआरएम}1200V से 4500V तक.
2. I_GT, वी_GTऔर मैं_H25℃ पर परीक्षण मान हैं, जब तक अन्यथा न कहा जाए, अन्य सभी पैरामीटर टी के अंतर्गत परीक्षण मान हैं_jm;
3. I²टी = मैं²F SM×tw/2, tw= साइनसॉइडल अर्ध तरंग धारा आधार चौड़ाई।50हर्ट्ज पर, मैं²t=0.005I²एफएसएम(ए²एस);
4. 60Hz पर: I_{एफएसएम}(8.3ms)=I_{एफएसएम}(10ms)×1.066,टी_j=T_j;मैं²t(8.3ms)=I²t(10ms)×0.943,T_j=T_jm

पैरामीटर: